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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CM2GSDS800D2 2GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
2,063.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
65
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
65
53
读取速度,GB/s
4,605.9
5,173.2
写入速度,GB/s
2,451.8
2,063.5
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
907
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CM2GSDS800D2 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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