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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905702-007.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
53
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
40
读取速度,GB/s
3,726.4
12.8
写入速度,GB/s
1,590.1
7.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1785
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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