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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
65
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
40
读取速度,GB/s
4,605.9
19.2
写入速度,GB/s
2,451.8
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2674
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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