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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
65
Por volta de -63% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2674
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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