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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
4,605.9
19.5
写入速度,GB/s
2,451.8
15.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3782
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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