RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3782
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link