RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3401
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link