RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2480
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link