RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
51
Wokół strony -264% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
14
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4182
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link