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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
4,605.9
16.3
写入速度,GB/s
2,451.8
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2809
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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