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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 -132% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
28
读取速度,GB/s
4,605.9
19.1
写入速度,GB/s
2,451.8
15.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3680
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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