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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,451.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
4,605.9
11.0
写入速度,GB/s
2,451.8
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2271
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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