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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
4,595.2
16.7
写入速度,GB/s
2,168.2
12.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2977
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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