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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
4,595.2
14.0
写入速度,GB/s
2,168.2
8.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2345
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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