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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
60
左右 -46% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
41
读取速度,GB/s
4,595.2
13.5
写入速度,GB/s
2,168.2
12.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3114
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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