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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
4,595.2
21.3
写入速度,GB/s
2,168.2
17.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
4251
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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