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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
4,595.2
19.9
写入速度,GB/s
2,168.2
19.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
4150
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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