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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
60
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
20
读取速度,GB/s
4,595.2
19.9
写入速度,GB/s
2,168.2
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3558
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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