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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 -122% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
27
读取速度,GB/s
4,595.2
18.5
写入速度,GB/s
2,168.2
16.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3873
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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