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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
60
左右 -173% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
22
读取速度,GB/s
4,595.2
18.4
写入速度,GB/s
2,168.2
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3265
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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