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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
60
左右 -173% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
22
读取速度,GB/s
4,595.2
18.4
写入速度,GB/s
2,168.2
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3265
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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