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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
71
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
71
读取速度,GB/s
4,595.2
14.9
写入速度,GB/s
2,168.2
7.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1631
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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