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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 -122% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
27
读取速度,GB/s
4,595.2
18.3
写入速度,GB/s
2,168.2
15.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3615
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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