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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 -122% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
27
读取速度,GB/s
4,595.2
17.8
写入速度,GB/s
2,168.2
14.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3386
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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