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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
60
左右 -62% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
37
读取速度,GB/s
4,595.2
15.3
写入速度,GB/s
2,168.2
11.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2875
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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