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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
4,595.2
17.2
写入速度,GB/s
2,168.2
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3294
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
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