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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
60
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
20
读取速度,GB/s
4,595.2
20.0
写入速度,GB/s
2,168.2
17.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3703
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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