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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
60
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
20
读取速度,GB/s
4,595.2
20.0
写入速度,GB/s
2,168.2
17.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3703
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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