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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
20.5
写入速度,GB/s
2,168.2
15.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3672
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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