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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
4,595.2
21.4
写入速度,GB/s
2,168.2
19.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
4293
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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