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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-400.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
4,595.2
18.5
写入速度,GB/s
2,168.2
15.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3423
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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