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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965690-002.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
差异
规格
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
9.7
写入速度,GB/s
2,168.2
5.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 23 29 37 38
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1859
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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