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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965698-001.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
10.3
写入速度,GB/s
2,168.2
8.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2298
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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