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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
374
左右 84% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
0.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
1.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
374
读取速度,GB/s
4,595.2
0.8
写入速度,GB/s
2,168.2
1.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
269
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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