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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
60
左右 -131% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
26
读取速度,GB/s
4,595.2
13.9
写入速度,GB/s
2,168.2
7.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2192
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
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