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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
60
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
36
读取速度,GB/s
4,595.2
18.6
写入速度,GB/s
2,168.2
15.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3372
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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