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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
15.6
写入速度,GB/s
2,168.2
11.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2868
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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