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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
60
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
52
读取速度,GB/s
4,595.2
10.1
写入速度,GB/s
2,168.2
7.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2176
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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