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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
60
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
36
读取速度,GB/s
4,595.2
15.5
写入速度,GB/s
2,168.2
11.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2734
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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