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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
60
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
35
读取速度,GB/s
4,595.2
15.7
写入速度,GB/s
2,168.2
11.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2768
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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