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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
4,595.2
15.7
写入速度,GB/s
2,168.2
13.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3247
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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