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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
65
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
20
读取速度,GB/s
4,806.8
19.3
写入速度,GB/s
2,784.6
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3492
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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