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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
4,806.8
14.9
写入速度,GB/s
2,784.6
10.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2814
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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