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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,806.8
12.1
写入速度,GB/s
2,784.6
10.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2897
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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