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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
4,806.8
17.1
写入速度,GB/s
2,784.6
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3742
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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