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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
15.2
写入速度,GB/s
12.0
11.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2930
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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