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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
4,806.8
14.1
写入速度,GB/s
2,784.6
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2215
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
INTENSO 5641152 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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