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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
4,806.8
17.8
写入速度,GB/s
2,784.6
12.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3285
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Frequency (Mhz) *
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