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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
65
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
57
读取速度,GB/s
4,806.8
9.3
写入速度,GB/s
2,784.6
7.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2233
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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