RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
65
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
57
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2233
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link