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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Super Talent F26UB16GH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
Super Talent F26UB16GH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
4,806.8
8.7
写入速度,GB/s
2,784.6
6.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
1769
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Super Talent F26UB16GH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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