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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,672.4
16.3
写入速度,GB/s
1,906.4
11.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
3179
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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